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WEMS 晶圓邊緣多尺度分析儀
更新日期：2026-07-28
訪問量：88
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
生產(chǎn)地址：日本
一、日本 INTECS（株式會社インテックス）WEMS 晶圓邊緣多尺度分析儀 商品基礎(chǔ)基本信息
| 項(xiàng)目 | 詳細(xì)內(nèi)容 |
|---|---|
| 品牌全稱 | INTECS（株式會社インテックス，日本INTECS） |
| 完整商品名稱 | WEMS 晶圓邊緣多尺度分析儀 |
| 產(chǎn)品別名 | 半導(dǎo)體硅片邊緣輪廓多尺度測量設(shè)備、晶圓崩缺/倒角精密光學(xué)分析儀、Wafer邊緣細(xì)微缺陷多維度檢測裝置、8/12寸硅片邊緣幾何形貌測量儀 |
| 產(chǎn)品型號 | WEMS |
| 產(chǎn)品分類 | 半導(dǎo)體晶圓邊緣多尺度精密光學(xué)形貌分析設(shè)備、硅片邊緣崩缺倒角幾何尺寸測量裝置、晶圓邊緣微觀缺陷多維度檢測儀器 |
| 適用行業(yè) | 半導(dǎo)體晶圓制造工廠、硅片加工研磨車間、微電子材料研發(fā)實(shí)驗(yàn)室、集成電路芯片封裝企業(yè)、第三方半導(dǎo)體硅片精密檢測機(jī)構(gòu) |
| 適配測試試樣 | 8英寸、12英寸標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體單晶硅晶圓、各類超薄拋光硅片、刻蝕加工硅片、研磨倒角硅片 |
| 出廠標(biāo)準(zhǔn)配置 | WEMS主機(jī)精密光學(xué)檢測平臺、高精度多尺度光學(xué)傳感成像模組、伺服晶圓自動旋轉(zhuǎn)升降定位工裝、工業(yè)觸控操作終端、配套專業(yè)晶圓邊緣多尺度分析電腦、原廠標(biāo)準(zhǔn)硅片輪廓校準(zhǔn)標(biāo)樣、設(shè)備操作說明書、晶圓邊緣輪廓/缺陷數(shù)據(jù)分析軟件、出廠邊緣幾何尺寸、多尺度成像精度計(jì)量校準(zhǔn)報(bào)告 |
| 可選拓展配件 | 多規(guī)格適配工裝（8寸/12寸切換）、高低溫恒溫晶圓測試腔體組件、多路并行多工位晶圓自動傳送模組、上位機(jī)批量晶圓數(shù)據(jù)自動導(dǎo)出軟件、遠(yuǎn)程PLC工廠MES通訊對接模塊、偏振光學(xué)濾波拓展組件、超高分辨率微觀成像拓展鏡頭 |
二、商品核心關(guān)鍵詞
標(biāo)題關(guān)鍵詞：INTECS WEMS晶圓邊緣多尺度分析儀、8/12寸硅片邊緣輪廓精密測量設(shè)備
用途關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體晶圓崩缺倒角幾何形貌檢測、硅片邊緣微觀缺陷多維度分析
功能關(guān)鍵詞：多尺度分層光學(xué)成像、伺服晶圓自動旋轉(zhuǎn)定位、邊緣輪廓/崩缺尺寸全自動解析
款式/材質(zhì)關(guān)鍵詞：臺式緊湊型半導(dǎo)體精密檢測設(shè)備、高剛性減震合金光學(xué)平臺、無塵車間專用防靜電機(jī)身
擴(kuò)展關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體晶圓制造工藝研發(fā)、硅片出廠邊緣缺陷質(zhì)檢專用設(shè)備
三、產(chǎn)品簡介
日本INTECS（株式會社インテックス）WEMS晶圓邊緣多尺度分析儀，是半導(dǎo)體行業(yè)專用8/12英寸硅片晶圓邊緣多尺度精密光學(xué)形貌、缺陷分析設(shè)備，采用多尺度分層光學(xué)成像技術(shù)，可同步實(shí)現(xiàn)宏觀整體輪廓、微觀局部細(xì)微缺陷兩種尺度同步采集，全自動完成晶圓外緣倒角輪廓、邊緣崩缺尺寸、邊緣微小凹凸、劃痕、研磨瑕疵等幾何參數(shù)與缺陷識別。
設(shè)備搭載高精度多尺度復(fù)合光學(xué)成像傳感模組，配套閉環(huán)伺服自動旋轉(zhuǎn)升降晶圓定位工裝，可自動抓取、水平360°旋轉(zhuǎn)、垂直升降硅片，無需人工手動夾持；多尺度光學(xué)系統(tǒng)可一鍵切換大范圍全局輪廓掃描、局部超高分辨率微觀放大成像兩種模式，同步采集完整晶圓邊緣全周幾何曲線與任意局部微觀缺陷形貌；整機(jī)配套工業(yè)觸控終端與專業(yè)晶圓分析電腦，可自定義多段式旋轉(zhuǎn)掃描速度、成像放大倍率、分段采集點(diǎn)位密度全自動測試工藝，設(shè)備本地自動存儲全部晶圓邊緣輪廓、缺陷原始成像數(shù)據(jù)，生成標(biāo)準(zhǔn)化晶圓邊緣幾何尺寸報(bào)表、崩缺缺陷分布圖、多尺度成像對比曲線。
出廠完成晶圓邊緣幾何尺寸測量重復(fù)精度、多尺度光學(xué)成像分辨率、伺服晶圓定位重復(fù)精度全項(xiàng)光學(xué)計(jì)量校準(zhǔn)，滿足半導(dǎo)體晶圓研磨加工車間、硅片制造企業(yè)出廠質(zhì)檢、微電子材料研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的硅片邊緣倒角輪廓、崩缺、微觀缺陷多維度精密檢測需求，是8/12英寸標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓制造工藝研發(fā)、成品出廠質(zhì)檢行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)多尺度邊緣分析設(shè)備。
四、核心工作原理
1. 多尺度分層復(fù)合光學(xué)成像基礎(chǔ)原理：設(shè)備內(nèi)置雙光路復(fù)合光學(xué)傳感系統(tǒng)，一套光路負(fù)責(zé)低倍率全局大范圍掃描，獲取晶圓外緣完整360°宏觀輪廓曲線；另一套高倍率微觀成像光路，可自動切換至任意邊緣局部區(qū)域，實(shí)現(xiàn)超高分辨率微觀形貌成像；兩套光路同步采集，一次裝夾即可同時(shí)得到整圈邊緣幾何輪廓與局部細(xì)微缺陷微觀圖像，完成多維度多尺度綜合分析。
2. 閉環(huán)伺服晶圓自動定位旋轉(zhuǎn)原理：獨(dú)立閉環(huán)伺服垂直升降+水平360°旋轉(zhuǎn)驅(qū)動模組，配套專用防靜電真空硅片吸附工裝；設(shè)備自動完成硅片上料、垂直升降對焦、水平勻速旋轉(zhuǎn)掃描、下料全流程自動化，旋轉(zhuǎn)角度、升降高度、掃描運(yùn)行速度均可觸控?cái)?shù)字化精準(zhǔn)設(shè)定，閉環(huán)實(shí)時(shí)反饋硅片旋轉(zhuǎn)位置，定位重復(fù)精度高，消除人工夾持帶來的定位偏差。
3. 晶圓邊緣幾何輪廓自動解析原理：全局低倍率光路采集完整晶圓外緣坐標(biāo)曲線，軟件自動擬合標(biāo)準(zhǔn)圓形基準(zhǔn)，計(jì)算晶圓邊緣倒角角度、倒角寬度、整體圓度、邊緣最大最小徑向輪廓偏差；針對局部微觀高倍率圖像，軟件自動識別邊緣崩缺、微小凹坑、劃痕、研磨凹凸瑕疵，自動測量崩缺長度、深度、缺陷面積等缺陷幾何尺寸參數(shù)。
4. 多尺度成像數(shù)據(jù)綜合存儲分析原理：設(shè)備本地大容量存儲單元自動保存每一片晶圓完整全周宏觀輪廓坐標(biāo)、多組局部微觀缺陷成像原圖、對應(yīng)旋轉(zhuǎn)角度、掃描時(shí)間、成像倍率全部原始數(shù)據(jù)；配套專業(yè)晶圓分析軟件可一鍵生成批量晶圓幾何尺寸統(tǒng)計(jì)報(bào)表、崩缺缺陷分布熱力圖、宏觀-微觀多尺度成像對比曲線，直觀判定單片/整批硅片邊緣各項(xiàng)參數(shù)是否符合工藝標(biāo)準(zhǔn)公差要求。
