1. 產品概述
2. 核心技術參數
產品類型：導電型纖維刷式 CMP 研磨墊調節器
適用工藝：半導體晶圓 CMP 拋光（銅互連、鎢、硅片、氧化物等）
纖維材質：高純度金剛石 / 碳化硅涂層柔性碳纖維、導電金屬纖維（可選）
纖維密度：100~1000 根 /cm2（依工藝需求定制）
纖維長度：0.5~3mm（定制化，適配不同研磨墊類型）
基底材質：不銹鋼 / 鋁合金 / 陶瓷（高剛性、高平整度）
基底尺寸：標準 φ100~φ300mm（適配主流 CMP 設備，可定制）
導電性能：低電阻率，支持電化學輔助修整（ECMP）
適用設備：Applied Materials、Tokyo Electron 等主流半導體 CMP 設備
3. 半導體 CMP 研磨墊柔性纖維導電調節器 產品性能與用材
核心用材：基底采用高平整度不銹鋼 / 陶瓷，保障安裝精度與受力均勻；柔性碳纖維經金剛石 / 碳化硅耐磨涂層處理，提升纖維耐磨性與修整效率；導電涂層實現電化學輔助修整功能，適配先進制程工藝。
性能特點：柔性纖維可貼合研磨墊表面微觀形貌，實現均勻修整，避免硬接觸造成的墊體損傷與晶圓劃痕；導電結構可配合電化學輔助修整，提升修整效率，延長研磨墊使用壽命；纖維高度一致性高，保障修整后研磨墊表面平整度，穩定 CMP 工藝的去除率與晶圓 TTV。
4. 產品優勢和特點
柔性低損傷修整：柔性纖維貼合研磨墊微觀形貌，均勻修整，減少墊體損傷與晶圓劃痕風險。
導電輔助高效作業：導電結構支持電化學輔助修整（ECMP），提升修整效率，延長研磨墊使用壽命。
高耐磨長壽命：金剛石 / 碳化硅涂層纖維，耐磨性能優異，適配半導體量產長周期使用。
高平整度工藝穩定：基底與纖維高度一致性高，保障修整后研磨墊平整度，穩定 CMP 工藝參數。
定制化適配性強：可根據 CMP 設備、研磨墊類型、工藝需求，定制纖維材質、密度、長度、基底尺寸等參數。
兼容主流設備：適配全球主流半導體 CMP 設備，無需改造設備即可直接安裝使用。
5. 適用場景
半導體晶圓制造：12/8 英寸晶圓 CMP 工藝（銅 CMP、鎢 CMP、硅片拋光、氧化物拋光等）的研磨墊在線修整。
半導體設備配套：CMP 設備原廠配套耗材、晶圓廠量產耗材替換。
先進制程工藝：7nm/5nm 等先進邏輯芯片、存儲芯片的 CMP 工藝修整。
CMP 工藝研發：高校、科研院所的 CMP 工藝優化、新型研磨墊 / 修整器研發測試。
6. 包裝、使用說明
包裝：采用無塵、防潮、防震包裝，關鍵部件（纖維層、基底）做精密防護，確保運輸過程中無損傷、無污染，符合半導體級潔凈要求。
使用說明：根據 CMP 設備型號與工藝參數，選擇對應規格的調節器，按設備標準流程安裝；使用過程中定期檢查纖維磨損情況，按工藝要求設定修整參數；使用后清潔并妥善存放，避免纖維變形與污染。
